금속과 반도체의 접촉시 금속측 전하와 반도체측의 공핍층 전하에 의한 내부전계로 형성되는 퍼텐셜 장벽을 말한다. 쇼트키 장벽은 각각의 일함수 차이에 의한 전자의 이동 때문이다.